·科技云霓
在华为遭美芯“卡脖”之时，任正非曾公开表示，国内不缺优秀的芯片设计公司，华为可以设计出全球顶尖的芯片，但因为高端光刻机被海外市场所垄断，我们研发的芯片无法被造出来。
光刻机可以说是阻碍国产芯片崛起的一大“藩篱”，尤其是EUV光刻机，作为7nm以下先进芯片的核心制造设备，全球能生产的只有荷兰ASML。只不过，由于产线上含有美国配件和技术，ASML并不能对大陆市场自由出货。
而就在近期，美国再次传出消息，称现阶段正在对荷兰游说或施压，要求ASML公司收紧主流需求光刻机的出货范围，与大陆市场“划清界限”。
虽然老美此次惨遭“打脸”，且ASML明确表示将加大在中国市场的投资布局。但需要注意的是，ASML所能对大陆市场供应的，仍然只是DUV等中低端光刻机、以及那些翻新过的旧型设备。至于EUV光刻机，ASML则完全不敢和老美“硬刚”，也基本没有出货的机会。
EUV光刻机被称为“人类智慧的结晶”，所用到的超过10万个零件和光源等各类技术，都是业内顶尖水平，其研发难度不亚于“原子D”。老美限制EUV光刻机自由出货的举动，无疑是把该设备当成了“挟天子令诸侯”的制裁工具。
事实上，在目睹了华为的遭遇后，全球很多地区都已不再信任老美的芯片和技术设备，再加上摩尔定律逼近物理极限，电子芯片的发展也快走到了尽头。因此，很多地区都在研发不依赖高端光刻设备的芯片技术。
近段时间随着多项重磅消息传出，全球半导体市场也变得愈发“热闹”起来，有外媒甚至表示，EUV光刻机时代开始“翻篇”了。
首先，美光绕开EUV光刻机制造出了高性能DRAM芯片，测试结果显示，该芯片能效提升了25%，存储密度提升了30%，功耗降低了20%。现阶段美光已将该芯片交付给了下游客户和厂商进行技术验证，如果验证通过，下一步就是大规模量产。
其次，台积电也牵头组建了“3D Fabric”联盟，主要目的就是推动3D封装技术走向成熟。据悉，AMD最近推出的一款GPU，采用的就是台积电的3D封装工艺，在不依靠EUV光刻机的前提下，实现了芯片性能的提升。
另外，日本佳能、铠侠在去年就联合宣布了一项纳米压印微影（NIL）工艺技术。相比商业化的EUV光刻机技术，NIL工艺可大降低成本至40%左右，按照铠侠的预计，在2025年便可实现5nm NIL芯片的量产。
更重要的是，中国封测大厂通富微电前不久突破了5nm“芯粒”技术，华为也申请了超导量子芯片专利，国内还搭建了首条光子芯片生产线。无论是芯粒、量子芯片或者光子芯片，这些“赛道”都无需使用EUV光刻机，完全可以作为国产芯片的突破口。
这意味着，EUV光刻机将不再是高端芯片制造的唯一途径，无论是成本、性能等各方面，它也将不再是最佳选择。也正是因为这些原因，外媒才会说EUV光刻机时代开始“翻篇”了。
当然，至于全球半导体格局如何改变，不是我们关心的事儿。在国产芯片爬坡的关键阶段，我们最需要做的是坚持自研，把更多的核心技术掌握在自己手里，因为只有做到了“手中有粮”，才能摆脱“卡脖”，不再惧怕任何对手。
评论